IPU60R1K5CEAKMA1 - MOSFET N-CH 600V TO-251-3

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
21704 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para IPU60R1K5CEAKMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IPU60R1K5CEAKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Serie : CoolMOS™ CE
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 200pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : -
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TO251-3
Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : IPU60R1K5CEAKMA1.pdf

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