BSO615CGHUMA1 - MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Número de pieza del fabricante

BSO615CGHUMA1

Número interno de parte

AX-BSO615CGHUMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1022690 Pieces

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Especificaciones para BSO615CGHUMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSO615CGHUMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 380pF @ 25V

Potencia - max : 2W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-DSO-8

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BSO615CGHUMA1

Hojas de datos : BSO615CGHUMA1.pdf

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