SQ4917EY-T1_GE3 - MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
491695 Pieces
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Especificaciones para SQ4917EY-T1_GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SQ4917EY-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
48 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1910pF @ 30V
Potencia - max :
5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-SO
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SQ4917EY-T1_GE3
Hojas de datos :
SQ4917EY-T1_GE3.pdf
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