FQB34P10TM-F085P - PMOS D2PAK 100V 60 MOHM
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
PMOS D2PAK 100V 60 MOHM
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
22498 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para FQB34P10TM-F085P
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
FQB34P10TM-F085P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
PMOS D2PAK 100V 60 MOHM
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
33.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 16.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2910pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para FQB34P10TM-F085P
Hojas de datos :
FQB34P10TM-F085P.pdf
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