SI5513DC-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
26887 Pieces
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Especificaciones para SI5513DC-T1-E3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SI5513DC-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3.1A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
-
Potencia - max :
1.1W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor :
1206-8 ChipFET™
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SI5513DC-T1-E3
Hojas de datos :
SI5513DC-T1-E3.pdf
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