PHK24NQ04LT,518 - MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-SOIC
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
24500 Pieces
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Especificaciones para PHK24NQ04LT,518
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
PHK24NQ04LT,518
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
21.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.7 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2985pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-SO
Paquete / Caja :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para PHK24NQ04LT,518
Hojas de datos :
PHK24NQ04LT,518.pdf
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