EDB4064B4PB-1D-F-R TR - IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
70125 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descripción : IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño de la memoria : 4Gb (64M x 64)
Frecuencia de reloj : 533MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -
Tiempo de acceso : -
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento : -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 216-WFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 216-WFBGA (12x12)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : EDB4064 , EDB4064B4P

Documentos para EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Hojas de datos : EDB4064B4PB-1D-F-R TR.pdf

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