FDC636P - MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FDC636P
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
5632 Pieces
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Especificaciones para FDC636P
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
FDC636P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
2.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
8.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
390pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SuperSOT™-6
Paquete / Caja :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para FDC636P
Hojas de datos :
FDC636P.pdf
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