APTM100H45SCTG - MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4112 Pieces
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Especificaciones para APTM100H45SCTG
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
APTM100H45SCTG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Serie :
POWER MOS 7®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
154nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
4350pF @ 25V
Potencia - max :
357W
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Chassis Mount
Paquete / Caja :
SP4
Paquete del dispositivo del proveedor :
SP4
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para APTM100H45SCTG
Hojas de datos :
APTM100H45SCTG.pdf
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