SUD35N10-26P-GE3 - MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Número de pieza del fabricante

SUD35N10-26P-GE3

Número interno de parte

AX-SUD35N10-26P-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

421455 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.6657~~

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Especificaciones para SUD35N10-26P-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SUD35N10-26P-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 35A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2000pF @ 12V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 8.3W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-252, (D-Pak)

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SUD35 , SUD35N10

Documentos para SUD35N10-26P-GE3

Hojas de datos : SUD35N10-26P-GE3.pdf

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