STL13NM60N - MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
259850 Pieces
Precio de referencia
USD 1.079694
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Especificaciones para STL13NM60N

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : STL13NM60N
Fabricante : STMicroelectronics
Descripción : MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT
Serie : MDmesh™ II
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 385 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 790pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3W (Ta), 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerFlat™ (8x8) HV
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : STL13NM60N.pdf

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