APTM120DA30CT1G - MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Número de pieza del fabricante

APTM120DA30CT1G

Número interno de parte

AX-APTM120DA30CT1G

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

17864 Pieces

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Especificaciones para APTM120DA30CT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APTM120DA30CT1G

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Serie : POWER MOS 8™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 31A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 560nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 14560pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 657W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SP1

Paquete / Caja : SP1

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : APTM1 , APTM120

Documentos para APTM120DA30CT1G

Hojas de datos : APTM120DA30CT1G.pdf

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