FCP125N65S3 - MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
249160 Pieces
Precio de referencia
USD 1.126026
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Especificaciones para FCP125N65S3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FCP125N65S3
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220
Serie : SuperFET® III
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 24A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 2.4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1940pF @ 400V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 181W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-3
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : FCP , FCP12

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Hojas de datos : FCP125N65S3.pdf

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