PH3855L,115 - MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-PH3855L,115
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
53214 Pieces
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Especificaciones para PH3855L,115
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
PH3855L,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK
Serie :
TrenchMOS™
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
24A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
11.7nC @ 5V
Vgs (Max) :
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
765pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja :
SC-100, SOT-669
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para PH3855L,115
Hojas de datos :
PH3855L,115.pdf
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