TSM9ND50CI Ficha de datos
Especificaciones para TSM9ND50CI
Número de pieza :
TSM9ND50CI
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción :
500V 9A 0.9O SINGLE N-CHANNEL
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
24.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1116pF @ 50V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
ITO-220
Paquete / Caja :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TSM9ND50CI
Fabricante
Breve descripción
500V 9A 0.9O SINGLE N-CHANNEL
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
286875 Piezas
Precio de referencia
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