TSM2N7000KCT A3G Ficha de datos
Especificaciones para TSM2N7000KCT A3G
Número de pieza : TSM2N7000KCT A3G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción : MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 300mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7.32pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-92
Paquete / Caja : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
7512960 Piezas
Precio de referencia
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