TPW1R005PL,L1Q Ficha de datos
Especificaciones para TPW1R005PL,L1Q
Número de pieza : TPW1R005PL,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie : U-MOSIX-H
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 45V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 300A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9600pF @ 22.5V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 175°C
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-DSOP Advance
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
383910 Piezas
Precio de referencia
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