TPH1R712MD,L1Q Ficha de datos
Especificaciones para TPH1R712MD,L1Q
Número de pieza : TPH1R712MD,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Serie : U-MOSVI
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 182nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10900pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
856420 Piezas
Precio de referencia
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