TPCF8B01(TE85L,F,M Ficha de datos
Especificaciones para TPCF8B01(TE85L,F,M
Número de pieza : TPCF8B01(TE85L,F,M
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Serie : U-MOSIII
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 470pF @ 10V
Característica FET : Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) : 330mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : VS-8 (2.9x1.5)
Paquete / Caja : 8-SMD, Flat Lead
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
69355 Piezas
Precio de referencia
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