TPC8031-H(TE12LQM) Ficha de datos
Especificaciones para TPC8031-H(TE12LQM)
Número de pieza : TPC8031-H(TE12LQM)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.3 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2150pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : -
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
6880 Piezas
Precio de referencia
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