TK380P65Y,RQ Ficha de datos
Especificaciones para TK380P65Y,RQ
Número de pieza : TK380P65Y,RQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Serie : DTMOSV
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 360µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 590pF @ 300V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TK380P65Y,RQ
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
835005 Piezas
Precio de referencia
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