TK17E65W,S1X Ficha de datos
Especificaciones para TK17E65W,S1X
Número de pieza : TK17E65W,S1X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Serie : DTMOSIV
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 17.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 900µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1800pF @ 300V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220
Paquete / Caja : TO-220-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TK17E65W,S1X
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
21920 Piezas
Precio de referencia
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