TK16A60W5,S4VX Ficha de datos
Especificaciones para TK16A60W5,S4VX
Número de pieza : TK16A60W5,S4VX
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
Serie : DTMOSIV
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 15.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1350pF @ 300V
Característica FET : Super Junction
Disipación de potencia (max) : 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220SIS
Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
16784 Piezas
Precio de referencia
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