TK100L60W,VQ Ficha de datos
Especificaciones para TK100L60W,VQ
Número de pieza : TK100L60W,VQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
Serie : DTMOSIV
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 15000pF @ 30V
Característica FET : Super Junction
Disipación de potencia (max) : 797W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3P(L)
Paquete / Caja : TO-3PL
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TK100L60W,VQ
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23968 Piezas
Precio de referencia
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