TJ80S04M3L(T6L1,NQ Ficha de datos
Especificaciones para TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Número de pieza : TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
Serie : U-MOSVI
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 80A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 158nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7770pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK+
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
513845 Piezas
Precio de referencia
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