SSM6K217FE,LF Ficha de datos
Especificaciones para SSM6K217FE,LF
Número de pieza :
SSM6K217FE,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Serie :
U-MOSVII-H
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
1.1nC @ 4.2V
Vgs (Max) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
130pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
ES6
Paquete / Caja :
SOT-563, SOT-666
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4723300 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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