SSM3K01T(TE85L,F) Ficha de datos
Especificaciones para SSM3K01T(TE85L,F)
Número de pieza : SSM3K01T(TE85L,F)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Serie : π-MOSVI
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 1.6A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 152pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TSM
Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
17784 Piezas
Precio de referencia
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