SSM3J16CT(TPL3) Ficha de datos
Especificaciones para SSM3J16CT(TPL3)
Número de pieza : SSM3J16CT(TPL3)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Serie : π-MOSVI
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 11pF @ 3V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 100mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : CST3
Paquete / Caja : SC-101, SOT-883
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
17776 Piezas
Precio de referencia
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