SQ2301ES-T1_GE3 Ficha de datos
Especificaciones para SQ2301ES-T1_GE3
Número de pieza :
SQ2301ES-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3.9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
425pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-236 (SOT-23)
Paquete / Caja :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2427985 Piezas
Precio de referencia
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