SIS932EDN-T1-GE3 Ficha de datos
Especificaciones para SIS932EDN-T1-GE3
Número de pieza : SIS932EDN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1000pF @ 15V
Potencia - max : 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8 Dual
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1826940 Piezas
Precio de referencia
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