SIHB120N60E-GE3 Ficha de datos
Especificaciones para SIHB120N60E-GE3
Número de pieza : SIHB120N60E-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263
Serie : E
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 25A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1562pF @ 100V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CHAN 650V D2PAK TO-263
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
80620 Piezas
Precio de referencia
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