SIA413DJ-T1-GE3 Ficha de datos
Especificaciones para SIA413DJ-T1-GE3
Número de pieza :
SIA413DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
57nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1800pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Caja :
PowerPAK® SC-70-6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1056015 Piezas
Precio de referencia
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