SI7613DN-T1-GE3 Ficha de datos
Especificaciones para SI7613DN-T1-GE3
Número de pieza : SI7613DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2620pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
919755 Piezas
Precio de referencia
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