SI5517DU-T1-E3 Ficha de datos
Especificaciones para SI5517DU-T1-E3
Número de pieza : SI5517DU-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 520pF @ 10V
Potencia - max : 8.3W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® ChipFet Dual
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
26887 Piezas
Precio de referencia
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