RS1JL M2G Ficha de datos
Especificaciones para RS1JL M2G
Número de pieza :
RS1JL M2G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción :
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
800mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.3V @ 800mA
Velocidad :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
250ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
DO-219AB
Paquete del dispositivo del proveedor :
Sub SMA
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-RS1JL M2G
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
11002520 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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