Especificaciones para RQ6E045BNTCR

Número de pieza : RQ6E045BNTCR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 330pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3936080 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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