RN1961FE(TE85L,F) Ficha de datos
Especificaciones para RN1961FE(TE85L,F)
Número de pieza :
RN1961FE(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de transistor :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max) :
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) :
50V
Resistor - Base (R1) :
4.7 kOhms
Resistor - Base del emisor (R2) :
4.7 kOhms
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (Máx.) :
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición :
250MHz
Potencia - max :
100mW
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor :
ES6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
16400 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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