RJK6018DPK-00#T0 Ficha de datos
Especificaciones para RJK6018DPK-00#T0
Número de pieza :
RJK6018DPK-00#T0
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descripción :
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
30A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
92nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
4100pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-3P
Paquete / Caja :
TO-3P-3, SC-65-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
17448 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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