PSMN6R9-100YSFX Ficha de datos
Especificaciones para PSMN6R9-100YSFX
Número de pieza : PSMN6R9-100YSFX
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 50.3nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 238W
Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja : SC-100, SOT-669
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
502345 Piezas
Precio de referencia
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