PMXB350UPEZ Ficha de datos
Especificaciones para PMXB350UPEZ
Número de pieza : PMXB350UPEZ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 116pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DFN1010D-3
Paquete / Caja : 3-XDFN Exposed Pad
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-PMXB350UPEZ
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4528875 Piezas
Precio de referencia
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