PMV60EN,215 Ficha de datos
Especificaciones para PMV60EN,215
Número de pieza : PMV60EN,215
Fabricante : NXP USA Inc.
Descripción : MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
Serie : TrenchMOS™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 350pF @ 30V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 280mW (Tj)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-PMV60EN,215
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
62485 Piezas
Precio de referencia
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