PMDPB58UPE,115 Ficha de datos
Especificaciones para PMDPB58UPE,115
Número de pieza : PMDPB58UPE,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 804pF @ 10V
Potencia - max : 515mW
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 6-UDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-HUSON-EP (2x2)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2391845 Piezas
Precio de referencia
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