PHT11N06LT,135 Ficha de datos
Especificaciones para PHT11N06LT,135
Número de pieza : PHT11N06LT,135
Fabricante : NXP USA Inc.
Descripción : MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
Serie : TrenchMOS™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V
Vgs (Max) : ±13V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1400pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-223
Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
53214 Piezas
Precio de referencia
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