NVMS5P02R2G Ficha de datos
Especificaciones para NVMS5P02R2G
Número de pieza : NVMS5P02R2G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.95A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1900pF @ 16V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : -
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-NVMS5P02R2G
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1091055 Piezas
Precio de referencia
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