NVMFS6B03NLWFT1G Ficha de datos
Especificaciones para NVMFS6B03NLWFT1G
Número de pieza : NVMFS6B03NLWFT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5320pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.9W (Ta), 198W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23560 Piezas
Precio de referencia
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