NVMFS5A160PLZWFT1G Ficha de datos
Especificaciones para NVMFS5A160PLZWFT1G
Número de pieza : NVMFS5A160PLZWFT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : -60V7.7MOHMSINGLE
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 15A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7700pF @ 20V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
-60V7.7MOHMSINGLE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
303635 Piezas
Precio de referencia
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