Especificaciones para NTMFS6H801NT1G

Número de pieza : NTMFS6H801NT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : TRENCH 8 80V NFET
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23A (Ta), 157A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4120pF @ 40V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
TRENCH 8 80V NFET
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
225950 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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