LND01K1-G Ficha de datos
Especificaciones para LND01K1-G
Número de pieza : LND01K1-G
Fabricante : Microchip Technology
Descripción : MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 9V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 330mA (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : +0.6V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 46pF @ 5V
Característica FET : Depletion Mode
Disipación de potencia (max) : 360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-5
Paquete / Caja : SC-74A, SOT-753
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-LND01K1-G
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1409895 Piezas
Precio de referencia
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