IXFN100N65X2 Ficha de datos
Especificaciones para IXFN100N65X2
Número de pieza : IXFN100N65X2
Fabricante : IXYS
Descripción : MOSFET N-CH
Serie : HiPerFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 78A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 183nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10800pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 595W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-227B
Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IXFN100N65X2
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
30394 Piezas
Precio de referencia
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