IRLSL4030PBF Ficha de datos
Especificaciones para IRLSL4030PBF
Número de pieza : IRLSL4030PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 11360pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 370W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-262
Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRLSL4030PBF
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
72040 Piezas
Precio de referencia
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